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NSVF4017SG4T1G

NSVF4017SG4T1G

Nur als Referenz

Teilenummer NSVF4017SG4T1G
PNEDA Teilenummer NSVF4017SG4T1G
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.832
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NSVF4017SG4T1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNSVF4017SG4T1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NSVF4017SG4T1G, NSVF4017SG4T1G Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 838,27 KB)
PDFNSVF4017SG4T1G Datenblatt Cover
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NSVF4017SG4T1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang10GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Gewinn17dB
Leistung - max450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-SMD, Flat Leads
LieferantengerätepaketSC-82FL/MCPH4

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

13dB ~ 14dB

Leistung - max

1.7W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 160mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

-

Transistortyp

NPN

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20V

Frequenz - Übergang

1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.4dB

Leistung - max

690W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3V

Frequenz - Übergang

53GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.75dB @ 6GHz

Gewinn

15.8dB

Leistung - max

160mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

205 @ 2mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Ampleon USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

235MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

340W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 7A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

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