NSVF4017SG4T1G
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| Teilenummer | NSVF4017SG4T1G |
| PNEDA Teilenummer | NSVF4017SG4T1G |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/ |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.832 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 22 - Jun 27 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NSVF4017SG4T1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NSVF4017SG4T1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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NSVF4017SG4T1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 10GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Gewinn | 17dB |
| Leistung - max | 450mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | SC-82FL/MCPH4 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 55V Frequenz - Übergang 235MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 340W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 7A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 12A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-121B Lieferantengerätepaket CRFM4 |
Hersteller Ampleon USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7.4dB Leistung - max 690W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-439A Lieferantengerätepaket CDFM2 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2.8V Frequenz - Übergang 55GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz Gewinn 10dB ~ 24dB Leistung - max 136mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343 Reverse Pinning Lieferantengerätepaket 4-SO |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 24V Frequenz - Übergang 470MHz ~ 860MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 11.5dB Leistung - max 15W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 15 @ 200mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1.25A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis, Stud Mount Paket / Fall 55FT Lieferantengerätepaket 55FT |
