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MX0912B251Y,114

MX0912B251Y,114

Nur als Referenz

Teilenummer MX0912B251Y,114
PNEDA Teilenummer MX0912B251Y-114
Beschreibung RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2
Hersteller Ampleon
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MX0912B251Y Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMX0912B251Y,114
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MX0912B251Y, MX0912B251Y Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 77 KB)
PDFMX0912B251Y Datenblatt Cover
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MX0912B251Y Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang1.215GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn7.4dB
Leistung - max690W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)15A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-439A
LieferantengerätepaketCDFM2

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

67 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

-

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

NSVF2250WT1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB ~ 8.5dB

Leistung - max

290W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 15mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55AZ

Lieferantengerätepaket

55AZ

MRF517

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB ~ 10dB

Leistung - max

2.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 60mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

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