BFU725F/N1,115
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFU725F/N1,115 |
| PNEDA Teilenummer | BFU725F-N1-115 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 92.274 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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BFU725F/N1 Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFU725F/N1,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFU725F/N1 Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 2.8V |
| Frequenz - Übergang | 55GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz |
| Gewinn | 10dB ~ 24dB |
| Leistung - max | 136mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 160 @ 10mA, 2V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-343 Reverse Pinning |
| Lieferantengerätepaket | 4-SO |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
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