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BFU725F/N1,115

BFU725F/N1,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFU725F/N1,115
PNEDA Teilenummer BFU725F-N1-115
Beschreibung RF TRANS NPN 2.8V 55GHZ 4SO
Hersteller NXP
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Auf Lager 92.274
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU725F/N1 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU725F/N1,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU725F/N1, BFU725F/N1 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 136,91 KB)
PDFBFU725F/N1 Datenblatt Cover
BFU725F/N1 Datenblatt Seite 2 BFU725F/N1 Datenblatt Seite 3 BFU725F/N1 Datenblatt Seite 4 BFU725F/N1 Datenblatt Seite 5 BFU725F/N1 Datenblatt Seite 6 BFU725F/N1 Datenblatt Seite 7 BFU725F/N1 Datenblatt Seite 8 BFU725F/N1 Datenblatt Seite 9 BFU725F/N1 Datenblatt Seite 10 BFU725F/N1 Datenblatt Seite 11

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BFU725F/N1 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)2.8V
Frequenz - Übergang55GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.42dB ~ 1.1dB @ 1.5GHz ~ 12GHz
Gewinn10dB ~ 24dB
Leistung - max136mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce160 @ 10mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-343 Reverse Pinning
Lieferantengerätepaket4-SO

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.3V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 2GHz

Gewinn

19dB

Leistung - max

115mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

11dB ~ 13dB

Leistung - max

3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Power Macro

Lieferantengerätepaket

Power Macro

MS2472

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

5.6dB

Leistung - max

1350W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M112

Lieferantengerätepaket

M112

SD1330-06H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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