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BFG198,115

BFG198,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFG198,115
PNEDA Teilenummer BFG198-115
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT223
Hersteller NXP
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Auf Lager 5.652
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 15 - Nov 20 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFG198 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG198,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG198, BFG198 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 293,76 KB)
PDFBFG198 Datenblatt Cover
BFG198 Datenblatt Seite 2 BFG198 Datenblatt Seite 3 BFG198 Datenblatt Seite 4 BFG198 Datenblatt Seite 5 BFG198 Datenblatt Seite 6 BFG198 Datenblatt Seite 7 BFG198 Datenblatt Seite 8 BFG198 Datenblatt Seite 9 BFG198 Datenblatt Seite 10 BFG198 Datenblatt Seite 11

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BFG198 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max1W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-261-4, TO-261AA
LieferantengerätepaketSOT-223

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.3dB @ 1GHz

Gewinn

8.3dB

Leistung - max

1.8W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

3-SuperMiniMold (19)

UMIL25

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

33V

Frequenz - Übergang

225MHz ~ 400MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.9db ~ 10dB

Leistung - max

70W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55HV

Lieferantengerätepaket

55HV

BFS 483 E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

19dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

MSC1400M

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6.5dB

Leistung - max

1000W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Betriebstemperatur

250°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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