MT4S300U(TE85L,O,F
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| Teilenummer | MT4S300U(TE85L,O,F |
| PNEDA Teilenummer | MT4S300U-TE85L-O-F |
| Beschreibung | X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.526 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MT4S300U(TE85L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT4S300U(TE85L,O,F |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MT4S300U(TE85L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 4V |
| Frequenz - Übergang | 26.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.55dB @ 2GHz |
| Gewinn | 16.9dB |
| Leistung - max | 250mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 10mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-82A, SOT-343 |
| Lieferantengerätepaket | USQ |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3V Frequenz - Übergang 53GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.75dB @ 6GHz Gewinn 15.8dB Leistung - max 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 205 @ 2mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 3-XFDFN Lieferantengerätepaket 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
