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BLW96/01,112

BLW96/01,112

Nur als Referenz

Teilenummer BLW96/01,112
PNEDA Teilenummer BLW96-01-112
Beschreibung RF TRANS NPN 55V 235MHZ CRFM4
Hersteller Ampleon
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Auf Lager 6.066
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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BLW96/01 Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBLW96/01,112
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BLW96/01, BLW96/01 Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 73,51 KB)
PDFBLW96/01 Datenblatt Cover
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BLW96/01 Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)55V
Frequenz - Übergang235MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max340W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce15 @ 7A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)12A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-121B
LieferantengerätepaketCRFM4

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

Gewinn

11dB ~ 12.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 2mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

MS1226

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

36V

Frequenz - Übergang

30MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

18dB

Leistung - max

80W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M113

Lieferantengerätepaket

M113

BFS17SE6327HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 800MHz

Gewinn

-

Leistung - max

280mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

NE68830-A

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

BFS 460L6 E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.8V

Frequenz - Übergang

22GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz ~ 3GHz

Gewinn

10dB ~ 14.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-XFDFN

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