Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

Transistoren

Datensätze 64.903
Seite 130/2164
Bild
Teilenummer
Beschreibung
Auf Lager
Menge
KSC1674YTA
KSC1674YTA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Frequenz - Übergang: 600MHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager6.948
KSC1730OBU
KSC1730OBU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 1.1GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager8.892
KSC1730OTA
KSC1730OTA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 1.1GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager3.726
KSC1730YBU
KSC1730YBU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 1.1GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager6.948
KSC1730YTA
KSC1730YTA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 1.1GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 250mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager8.442
KSC2755OMTF
KSC2755OMTF

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 30V 600MHZ SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V
  • Frequenz - Übergang: 600MHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB @ 200MHz
  • Gewinn: 20dB ~ 23dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 3mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager2.790
KSC2755YMTF
KSC2755YMTF

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 30V 600MHZ SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V
  • Frequenz - Übergang: 600MHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB @ 200MHz
  • Gewinn: 20dB ~ 23dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 3mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager3.402
KSC2756OMTF
KSC2756OMTF

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Frequenz - Übergang: 850MHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz
  • Gewinn: 15dB ~ 23dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager7.416
KSC2756RMTF
KSC2756RMTF

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Frequenz - Übergang: 850MHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz
  • Gewinn: 15dB ~ 23dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager6.498
KSC2756YMTF
KSC2756YMTF

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 20V 850MHZ SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Frequenz - Übergang: 850MHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 6.5dB @ 200MHz
  • Gewinn: 15dB ~ 23dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager4.788
KSC2757OMTF
KSC2757OMTF

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 1.1GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager8.730
KSC2757RMTF
KSC2757RMTF

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 1.1GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager5.166
KSC2757YMTF
KSC2757YMTF

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 1.1GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager8.820
KSC2786OBU
KSC2786OBU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Frequenz - Übergang: 600MHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
  • Gewinn: 18dB ~ 22dB
  • Leistung - max: 250mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • Lieferantengerätepaket: TO-92S
Auf Lager2.322
KSC2786OTA
KSC2786OTA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Frequenz - Übergang: 600MHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
  • Gewinn: 18dB ~ 22dB
  • Leistung - max: 250mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • Lieferantengerätepaket: TO-92S
Auf Lager3.654
KSC2786RBU
KSC2786RBU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Frequenz - Übergang: 600MHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
  • Gewinn: 18dB ~ 22dB
  • Leistung - max: 250mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • Lieferantengerätepaket: TO-92S
Auf Lager5.436
KSC2786RTA
KSC2786RTA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Frequenz - Übergang: 600MHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
  • Gewinn: 18dB ~ 22dB
  • Leistung - max: 250mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • Lieferantengerätepaket: TO-92S
Auf Lager4.428
KSC2786YBU
KSC2786YBU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Frequenz - Übergang: 600MHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
  • Gewinn: 18dB ~ 22dB
  • Leistung - max: 250mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • Lieferantengerätepaket: TO-92S
Auf Lager7.650
KSC2786YTA
KSC2786YTA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Frequenz - Übergang: 600MHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 5dB @ 100MHz
  • Gewinn: 18dB ~ 22dB
  • Leistung - max: 250mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
  • Lieferantengerätepaket: TO-92S
Auf Lager4.734
KSC3123OMTF
KSC3123OMTF

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Frequenz - Übergang: 1.4GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
  • Gewinn: 20dB ~ 23dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 5mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager5.616
KSC3123RMTF
KSC3123RMTF

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Frequenz - Übergang: 1.4GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
  • Gewinn: 20dB ~ 23dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager7.308
KSC3123YMTF
KSC3123YMTF

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 20V 1.4GHZ SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V
  • Frequenz - Übergang: 1.4GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz
  • Gewinn: 20dB ~ 23dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)
Auf Lager2.610
KSP10BU
KSP10BU

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V
  • Frequenz - Übergang: 650MHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 350mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager49.524
KSP10TA
KSP10TA

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V
  • Frequenz - Übergang: 650MHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 350mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Lieferantengerätepaket: TO-92-3
Auf Lager6.372
KST10MTF
KST10MTF

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V
  • Frequenz - Übergang: 650MHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 350mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager124.260
KST5179MTF
KST5179MTF

ON Semiconductor

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 900MHZ SOT23-3

  • Hersteller: ON Semiconductor
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 900MHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
  • Gewinn: 15dB
  • Leistung - max: 350mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23-3
Auf Lager3.960
LM3046M
LM3046M

Texas Instruments

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC

  • Hersteller:
  • Serie: -
  • Transistortyp: 5 NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: -
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.25dB @ 1kHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 750mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 14-SOIC
Auf Lager3.492
LM3046M/NOPB
LM3046M/NOPB

Texas Instruments

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC

  • Hersteller:
  • Serie: -
  • Transistortyp: 5 NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: -
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.25dB @ 1kHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 750mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 14-SOIC
Auf Lager3.456
LM3046MX
LM3046MX

Texas Instruments

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC

  • Hersteller:
  • Serie: -
  • Transistortyp: 5 NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: -
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.25dB @ 1kHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 750mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 14-SOIC
Auf Lager6.228
LM3046MX/NOPB
LM3046MX/NOPB

Texas Instruments

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS 5 NPN 15V 14SOIC

  • Hersteller:
  • Serie: -
  • Transistortyp: 5 NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: -
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.25dB @ 1kHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 750mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Lieferantengerätepaket: 14-SOIC
Auf Lager3.780