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KSC2786OBU

KSC2786OBU

Nur als Referenz

Teilenummer KSC2786OBU
PNEDA Teilenummer KSC2786OBU
Beschreibung RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.322
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

KSC2786OBU Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerKSC2786OBU
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
KSC2786OBU, KSC2786OBU Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 72,26 KB)
PDFKSC2786RTA Datenblatt Cover
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KSC2786OBU Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang600MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3dB ~ 5dB @ 100MHz
Gewinn18dB ~ 22dB
Leistung - max250mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 1mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 Short Body
LieferantengerätepaketTO-92S

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

136MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

4.5dB

Leistung - max

117W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Betriebstemperatur

200°C

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

M130

Lieferantengerätepaket

M130

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Gewinn

10.2dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.5dB @ 2GHz

Gewinn

14dB ~ 16dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 3mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

4-Super Mini Mold

BFP 650F E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

42GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Gewinn

11dB ~ 21.5dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 80mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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