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KSC2786YTA

KSC2786YTA

Nur als Referenz

Teilenummer KSC2786YTA
PNEDA Teilenummer KSC2786YTA
Beschreibung RF TRANS NPN 20V 600MHZ TO92S
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.734
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 9 - Jan 14 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

KSC2786YTA Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerKSC2786YTA
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
KSC2786YTA, KSC2786YTA Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 72,26 KB)
PDFKSC2786RTA Datenblatt Cover
KSC2786RTA Datenblatt Seite 2 KSC2786RTA Datenblatt Seite 3 KSC2786RTA Datenblatt Seite 4 KSC2786RTA Datenblatt Seite 5 KSC2786RTA Datenblatt Seite 6 KSC2786RTA Datenblatt Seite 7

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KSC2786YTA Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang600MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3dB ~ 5dB @ 100MHz
Gewinn18dB ~ 22dB
Leistung - max250mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 Short Body
LieferantengerätepaketTO-92S

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.08dB ~ 8.5dB

Leistung - max

250W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55FW-1

Lieferantengerätepaket

55FW-1

BFP640FH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

40GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Gewinn

23dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-TSFP

SD8268-21H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

MS1007

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

30MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

14dB

Leistung - max

233W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

18 @ 1.4A, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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