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SD1731

SD1731

Nur als Referenz

Teilenummer SD1731
PNEDA Teilenummer SD1731
Beschreibung RF TRANS NPN 55V M174
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 2.178
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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SD1731 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSD1731
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
SD1731, SD1731 Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 358,48 KB)
PDFSD1731 Datenblatt Cover
SD1731 Datenblatt Seite 2 SD1731 Datenblatt Seite 3 SD1731 Datenblatt Seite 4 SD1731 Datenblatt Seite 5 SD1731 Datenblatt Seite 6 SD1731 Datenblatt Seite 7 SD1731 Datenblatt Seite 8 SD1731 Datenblatt Seite 9

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SD1731 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)55V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn13dB
Leistung - max233W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce15 @ 10A, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallM174
LieferantengerätepaketM174

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

70V

Frequenz - Übergang

1GHz ~ 1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

14dB

Leistung - max

3.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 50mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

MSC1450M

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

910W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Betriebstemperatur

250°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M216

Lieferantengerätepaket

M216

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

700MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 200MHz

Gewinn

20dB ~ 24dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 2mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

BGB 540 E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

16dB ~ 17.5dB

Leistung - max

120mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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