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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
MMBTH81 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager263.214
MMBTH81_D87Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager2.052
MMBTH81_F080 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager8.262
MPA201 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 22V 2GHZ 55AU Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 22V Frequenz - Übergang: 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 13dB Leistung - max: 6W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55AU Lieferantengerätepaket: 55AU	Auf Lager4.194
MPA201HS Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF TRANS RF BIPO 6W 300MA 55AU2 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.516
MPS3563 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 1.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz Gewinn: 14dB @ 200MHz Leistung - max: 350W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager8.694
MPS3563G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 1.5GHZ TO92 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 1.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6.5dB @ 60MHz Gewinn: 14dB @ 200MHz Leistung - max: 350W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager6.552
MPS5179 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.406
MPS5179_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.510
MPS5179_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.742
MPS5179_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.282
MPS5179G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.222
MPS5179RLRAG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 200W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.978
MPS5179RLRPG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 200W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.328
MPSH10 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPNUHF/VHF Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.960
MPSH10_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.510
MPSH10_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.892
MPSH10_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.444
MPSH10_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.428
MPSH10G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.070
MPSH10RLRA ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.268
MPSH10RLRAG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.164
MPSH10RLRPG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.978
MPSH11 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.608
MPSH11_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.042
MPSH17 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz Gewinn: 24dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.880
MPSH17_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz Gewinn: 24dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.732
MPSH17_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz Gewinn: 24dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.022
MPSH17_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz Gewinn: 24dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.482
MPSH17G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz Gewinn: 24dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.138

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