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MRF8372GR1 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 870MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB ~ 9.5dB Leistung - max: 2.2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.442
MRF8372GR2 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 870MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB ~ 9.5dB Leistung - max: 2.2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.282
MRF8372MR1 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF TRANS NPN 16V 200MA Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.652
MRF8372R1 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 870MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB ~ 9.5dB Leistung - max: 2.2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager2.898
MRF8372R2 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 870MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB ~ 9.5dB Leistung - max: 2.2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.752
MRF904 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 4GHZ TO72 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 450MHz Gewinn: 6.5dB ~ 10.5dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-72	Auf Lager2.070
MRFC544 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.562
MRFC545 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.068
MS1001 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 18V Frequenz - Übergang: 30MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 13dB Leistung - max: 270W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M174 Lieferantengerätepaket: M174	Auf Lager4.500
MS1001A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF TRANS RF BIPO 270W 20A Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.676
MS1003 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ M111 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 18V Frequenz - Übergang: 136MHz ~ 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6dB Leistung - max: 270W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: M111 Lieferantengerätepaket: M111	Auf Lager8.190
MS1004 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 30MHZ M177 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: 30MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 14.5dB Leistung - max: 330W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M177 Lieferantengerätepaket: M177	Auf Lager8.298
MS1006 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 30MHZ M135 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: 30MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 14dB Leistung - max: 127W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 19 @ 1.4A, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3.25A Betriebstemperatur: 200°C Montagetyp: Stud Mount Paket / Fall: M135 Lieferantengerätepaket: M135	Auf Lager5.022
MS1007 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 30MHZ M174 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: 30MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 14dB Leistung - max: 233W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 18 @ 1.4A, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M174 Lieferantengerätepaket: M174	Auf Lager3.996
MS1008 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 30MHZ M164 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: 30MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 14dB Leistung - max: 233W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 1.4A, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M164 Lieferantengerätepaket: M164	Auf Lager8.046
MS1014 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.598
MS1015D Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.140
MS1019 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.308
MS1030 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.528
MS1030DE Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.946
MS1051 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 30MHZ M174 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 18V Frequenz - Übergang: 30MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 11dB ~ 13dB Leistung - max: 290W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 5mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M174 Lieferantengerätepaket: M174	Auf Lager8.190
MS1076 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 35V 30MHZ M174 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 35V Frequenz - Übergang: 30MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 12dB Leistung - max: 320W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 7A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M174 Lieferantengerätepaket: M174	Auf Lager7.110
MS1076A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.186
MS1076C Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.128
MS1087T Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.848
MS1202 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 35V 136MHZ M135 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 35V Frequenz - Übergang: 118MHz ~ 136MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.4dB Leistung - max: 15W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M135 Lieferantengerätepaket: M135	Auf Lager6.822
MS1226 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 36V 30MHZ M113 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 36V Frequenz - Übergang: 30MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 18dB Leistung - max: 80W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M113 Lieferantengerätepaket: M113	Auf Lager6.102
MS1227 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 30MHZ M113 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 18V Frequenz - Übergang: 30MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 15dB Leistung - max: 80W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M113 Lieferantengerätepaket: M113	Auf Lager2.592
MS1261 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ M122 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 18V Frequenz - Übergang: 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 12dB Leistung - max: 34W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis, Stud Mount Paket / Fall: M122 Lieferantengerätepaket: M122	Auf Lager3.402
MS1336 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ M135 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 18V Frequenz - Übergang: 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 70W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis, Stud Mount Paket / Fall: M135 Lieferantengerätepaket: M135	Auf Lager3.600

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