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MS2502W Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.460
MS2506 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.580
MS2552 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ 2NLFL Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6.7dB Leistung - max: 880W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 24A Betriebstemperatur: 250°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 2NLFL Lieferantengerätepaket: 2NLFL	Auf Lager5.310
MS2553C Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 1.15GHZ M220 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10.5dB Leistung - max: 175W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M220 Lieferantengerätepaket: M220	Auf Lager7.740
MS2554 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6.2dB Leistung - max: 600W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 17.8A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M218 Lieferantengerätepaket: M218	Auf Lager5.436
MS2554A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M216 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6.2dB Leistung - max: 600W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 17.8A Betriebstemperatur: 200°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M216 Lieferantengerätepaket: M216	Auf Lager8.280
MS2562 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.808
MS2563 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.762
MS2575A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.076
MS2586 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.750
MS2587 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.102
MS2588 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.150
MS2608 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.128
MS2870 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.102
MS2874 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.204
MS3455 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.380
MS3456 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.618
MS652S Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 512MHZ M123 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 450MHz ~ 512MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M123 Lieferantengerätepaket: M123	Auf Lager7.668
MSC1090M Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 65V 1.15GHZ M220 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.4dB Leistung - max: 220W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5.52A Betriebstemperatur: 200°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M220 Lieferantengerätepaket: M220	Auf Lager7.542
MSC1175M Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB Leistung - max: 400W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Betriebstemperatur: 250°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M218 Lieferantengerätepaket: M218	Auf Lager8.874
MSC1175MA Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB Leistung - max: 400W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Betriebstemperatur: 250°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M218 Lieferantengerätepaket: M218	Auf Lager7.686
MSC1350M Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M218 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB ~ 7.1dB Leistung - max: 720W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 19.8A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M218 Lieferantengerätepaket: M218	Auf Lager4.680
MSC1400M Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M216 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6.5dB Leistung - max: 1000W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 28A Betriebstemperatur: 250°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M216 Lieferantengerätepaket: M216	Auf Lager8.874
MSC1450A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 65V M216 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB Leistung - max: 910W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 28A Betriebstemperatur: 250°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M216 Lieferantengerätepaket: M216	Auf Lager4.050
MSC1450M Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M216 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB Leistung - max: 910W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 28A Betriebstemperatur: 250°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M216 Lieferantengerätepaket: M216	Auf Lager4.662
MSC2295-BT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 150MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SC-59	Auf Lager2.466
MSC2295-CT1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 150MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SC-59	Auf Lager2.322
MSC2295-CT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC59 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 150MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 110 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SC-59	Auf Lager2.106
MSC3930-BT1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC70-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 150MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70-3 (SOT323)	Auf Lager4.446
MSC3930-BT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 150MHZ SC70-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 150MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70-3 (SOT323)	Auf Lager3.528

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