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Transistoren

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Beschreibung
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NE68018-A
NE68018-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT343

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
  • Gewinn: 10.2dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-82A, SOT-343
  • Lieferantengerätepaket: SOT-343
Auf Lager7.272
NE68018-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT343

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
  • Gewinn: 10.2dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-82A, SOT-343
  • Lieferantengerätepaket: SOT-343
Auf Lager2.100
NE68019-A
NE68019-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT523

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz
  • Gewinn: 9.6dB
  • Leistung - max: 100mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager6.624
NE68019-T1

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT523

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 1.9dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • Gewinn: 9.6dB ~ 13.5dB
  • Leistung - max: 100mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager7.632
NE68019-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT523

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz
  • Gewinn: 9.6dB
  • Leistung - max: 100mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager8.982
NE68030-A
NE68030-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz
  • Gewinn: 9.4dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager5.886
NE68030-T1

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.9dB @ 1GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 5.3dB ~ 12.5dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager2.700
NE68030-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz
  • Gewinn: 9.4dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager5.580
NE68030-T1-R44-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz
  • Gewinn: 9.4dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager7.578
NE68030-T1-R45-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz
  • Gewinn: 9.4dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 125 @ 5mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager5.958
NE68033-A
NE68033-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager2.304
NE68033-T1B-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager6.264
NE68033-T1B-R44-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager4.788
NE68033-T1B-R45-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 125 @ 10mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager5.868
NE68039-A
NE68039-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT143

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
  • Gewinn: 11dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143
Auf Lager8.298
NE68039R-T1

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT143R

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 6.5dB ~ 11dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-143R
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143R
Auf Lager4.464
NE68039R-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT143R

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz ~ 4GHz
  • Gewinn: 6.5dB ~ 11dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-143R
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143R
Auf Lager7.362
NE68039-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT143

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
  • Gewinn: 11dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143
Auf Lager5.958
NE68039-T1-R46-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT143

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 10GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
  • Gewinn: 12dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager5.778
NE68118-A
NE68118-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT343

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 14dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-82A, SOT-343
  • Lieferantengerätepaket: SOT-343
Auf Lager2.736
NE68118-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT343

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 14dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-82A, SOT-343
  • Lieferantengerätepaket: SOT-343
Auf Lager7.254
NE68119-A
NE68119-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT523

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
  • Gewinn: 10dB
  • Leistung - max: 100mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager3.348
NE68119-T1

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3SMINMOLD

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • Gewinn: 10dB ~ 14dB
  • Leistung - max: 100mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: 3-SuperMiniMold (19)
Auf Lager2.106
NE68119-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT523

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
  • Gewinn: 10dB
  • Leistung - max: 100mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager4.824
NE68130-A
NE68130-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager3.636
NE68130-T1

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 1.6dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • Gewinn: 9dB ~ 13.5dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager5.580
NE68130-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager7.182
NE68130-T1-R34-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager4.896
NE68133-A
NE68133-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 13dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager3.150
NE68133-T1B-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 13dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
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