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NE68030-T1-A

NE68030-T1-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE68030-T1-A
PNEDA Teilenummer NE68030-T1-A
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT323
Hersteller CEL
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Auf Lager 5.580
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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NE68030-T1-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE68030-T1-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE68030-T1-A, NE68030-T1-A Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 901,45 KB)
PDFNE68030-T1-R45-A Datenblatt Cover
NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 2 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 3 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 4 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 5 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 6 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 7 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 8 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 9 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 10 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 11

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NE68030-T1-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang10GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.9dB @ 2GHz
Gewinn9.4dB
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 5mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.3dB @ 836MHz

Gewinn

11.6dB

Leistung - max

6.4W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 250mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.2A

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

8-SOIC-EP

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

125 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

KSC1393OTA

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

700MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 200MHz

Gewinn

20dB ~ 24dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 2mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

870MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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