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NE68039R-T1

NE68039R-T1

Nur als Referenz

Teilenummer NE68039R-T1
PNEDA Teilenummer NE68039R-T1
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 10GHZ SOT143R
Hersteller CEL
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Auf Lager 4.464
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NE68039R-T1 Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE68039R-T1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE68039R-T1, NE68039R-T1 Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 901,45 KB)
PDFNE68030-T1-R45-A Datenblatt Cover
NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 2 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 3 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 4 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 5 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 6 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 7 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 8 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 9 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 10 NE68030-T1-R45-A Datenblatt Seite 11

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NE68039R-T1 Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang10GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz ~ 4GHz
Gewinn6.5dB ~ 11dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-143R
LieferantengerätepaketSOT-143R

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.3V

Frequenz - Übergang

60GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz

Gewinn

16dB

Leistung - max

80mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 5mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

M04

CMPTH10 BK

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

EC4H09C-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

26GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB @ 2GHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

120mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-UFDFN

Lieferantengerätepaket

4-ECSP1008

BFU530AVL

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

TO-236AB (SOT23)

2SC5347AF-TD-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

4.7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Gewinn

8dB

Leistung - max

1.3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

135 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

PCP

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