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Transistoren

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Beschreibung
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NE687M13-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 3V 14GHZ M13

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3V
  • Frequenz - Übergang: 14GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 90mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-3
  • Lieferantengerätepaket: M13
Auf Lager8.550
NE687M33-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 3V 12GHZ 3SMINMOLD

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3V
  • Frequenz - Übergang: 12GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 90mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads
  • Lieferantengerätepaket: 3-SuperMiniMold (M33)
Auf Lager3.544
NE687M33-T3-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 3V 12GHZ 3SMINMOLD

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3V
  • Frequenz - Übergang: 12GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 90mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads
  • Lieferantengerätepaket: 3-SuperMiniMold (M33)
Auf Lager3.096
NE68819-A
NE68819-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3SMINIMOLD

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 125mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: 3-SuperMiniMold (19)
Auf Lager4.014
NE68819-T1

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3SMINIMOLD

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 125mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: 3-SuperMiniMold (19)
Auf Lager5.202
NE68819-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 5GHZ 3SMINIMOLD

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 125mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: 3-SuperMiniMold (19)
Auf Lager2.790
NE68830-A
NE68830-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 4.5GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager6.768
NE68830-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 4.5GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager5.130
NE68833-A
NE68833-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 4.5GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager3.456
NE68833-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 4.5GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager3.472
NE696M01-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT363

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 14GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.6dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SOT-363
Auf Lager7.920
NE696M01-T1

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT363

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 14GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.6dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SOT-363
Auf Lager74.028
NE696M01-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 14GHZ SOT363

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 14GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.6dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SOT-363
Auf Lager5.706
NE851M03-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ SOT363

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.5V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Lieferantengerätepaket: SOT-363
Auf Lager2.052
NE851M13-T3-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ M13

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.5V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: 4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ
  • Leistung - max: 140mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-3
  • Lieferantengerätepaket: M13
Auf Lager3.562
NE851M33-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.5V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 130mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads
  • Lieferantengerätepaket: 3-SuperMiniMold (M33)
Auf Lager4.716
NE851M33-T3-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ 3SMINI

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.5V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 130mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads
  • Lieferantengerätepaket: 3-SuperMiniMold (M33)
Auf Lager2.322
NE85618-A
NE85618-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 6.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 13dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-82A, SOT-343
  • Lieferantengerätepaket: SOT-343
Auf Lager6.066
NE85618-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT343

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 6.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 13dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-82A, SOT-343
  • Lieferantengerätepaket: SOT-343
Auf Lager5.310
NE85619-A
NE85619-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 100mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager4.176
NE85619-T1

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • Gewinn: 6.5dB ~ 12.5dB
  • Leistung - max: 100mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager3.598
NE85619-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 100mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager7.686
NE85630-A
NE85630-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager2.592
NE85630-R24-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager4.230
NE85630-R25-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 125 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager3.960
NE85630-T1

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
  • Gewinn: 6dB ~ 12dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager2.286
NE85630-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager2.574
NE85630-T1-R24-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager3.508
NE85630-T1-R25-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 125 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager7.326
NE85633-A
NE85633-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 11.5dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: -
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