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NE85619-T1

NE85619-T1

Nur als Referenz

Teilenummer NE85619-T1
PNEDA Teilenummer NE85619-T1
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523
Hersteller CEL
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Auf Lager 3.598
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NE85619-T1 Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE85619-T1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE85619-T1, NE85619-T1 Datenblatt (Total Pages: 26, Größe: 827,19 KB)
PDFNE85633L-A Datenblatt Cover
NE85633L-A Datenblatt Seite 2 NE85633L-A Datenblatt Seite 3 NE85633L-A Datenblatt Seite 4 NE85633L-A Datenblatt Seite 5 NE85633L-A Datenblatt Seite 6 NE85633L-A Datenblatt Seite 7 NE85633L-A Datenblatt Seite 8 NE85633L-A Datenblatt Seite 9 NE85633L-A Datenblatt Seite 10 NE85633L-A Datenblatt Seite 11

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NE85619-T1 Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang4.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.4dB ~ 2.2dB @ 1GHz ~ 2GHz
Gewinn6.5dB ~ 12.5dB
Leistung - max100mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 20mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-523
LieferantengerätepaketSOT-523

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

SOT-343F

JAN2N2857UB

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Gewinn

21dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

UB

SD1330-06H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

2N4427

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39

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