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Transistoren

Datensätze 64.903
Seite 143/2164
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Beschreibung
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NE68133-T1B-R33-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 13dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager3.240
NE68133-T1B-R34-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 13dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager7.164
NE68133-T1B-R35-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 13dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 125 @ 20mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager3.580
NE68139-A
NE68139-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 13.5dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143
Auf Lager6.624
NE68139R-T1

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143R

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 13.5dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-143R
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143R
Auf Lager4.590
NE68139R-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143R

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 13.5dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-143R
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143R
Auf Lager6.552
NE68139-T1

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143R

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 13.5dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143
Auf Lager7.326
NE68139-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 9GHZ SOT143

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 13.5dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143
Auf Lager8.226
NE681M03-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ M03

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 125mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-623F
  • Lieferantengerätepaket: M03
Auf Lager5.832
NE681M03-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ M03

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 125mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-623F
  • Lieferantengerätepaket: M03
Auf Lager8.442
NE681M13-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 10V 7GHZ M13

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 140mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-3
  • Lieferantengerätepaket: M13
Auf Lager8.802
NE68518-A
NE68518-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 12GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: 11dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-82A, SOT-343
  • Lieferantengerätepaket: SOT-343
Auf Lager3.402
NE68518-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT343

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 12GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: 11dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-82A, SOT-343
  • Lieferantengerätepaket: SOT-343
Auf Lager8.802
NE68519-A
NE68519-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 12GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: 11dB
  • Leistung - max: 125mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager5.706
NE68519-T1

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 12GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: 7.5dB
  • Leistung - max: 125mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager4.842
NE68519-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT523

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 12GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: 11dB
  • Leistung - max: 125mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: SOT-523
Auf Lager4.338
NE68530-A
NE68530-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 12GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: 7dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager8.982
NE68530-T1

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 12GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: 7dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager3.150
NE68530-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 12GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: 7dB
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager6.858
NE68539-A
NE68539-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 12GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: 11dB
  • Leistung - max: 180mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143
Auf Lager7.974
NE68539-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT143

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 12GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: 11dB
  • Leistung - max: 180mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143
Auf Lager6.138
NE685M03-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 5V 12GHZ M03

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V
  • Frequenz - Übergang: 12GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 125mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-623F
  • Lieferantengerätepaket: M03
Auf Lager7.254
NE685M03-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 5V 12GHZ M03

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V
  • Frequenz - Übergang: 12GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 125mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-623F
  • Lieferantengerätepaket: M03
Auf Lager4.914
NE685M13-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ M13

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 12GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 140mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-3
  • Lieferantengerätepaket: M13
Auf Lager8.460
NE685M33-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ 3SMINMOLD

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 12GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 130mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads
  • Lieferantengerätepaket: 3-SuperMiniMold (M33)
Auf Lager4.716
NE685M33-T3-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 6V 12GHZ 3SMINMOLD

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V
  • Frequenz - Übergang: 12GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 130mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads
  • Lieferantengerätepaket: 3-SuperMiniMold (M33)
Auf Lager7.236
NE68719-T1

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 3V 11GHZ 3SMINMOLD

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3V
  • Frequenz - Übergang: 11GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 90mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-523
  • Lieferantengerätepaket: 3-SuperMiniMold (19)
Auf Lager4.014
NE68730-T1

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 3V 11GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3V
  • Frequenz - Übergang: 11GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 90mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager23.580
NE687M03-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 3V 14GHZ 3SMINMOLD

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3V
  • Frequenz - Übergang: 14GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 90mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-623F
  • Lieferantengerätepaket: 3-SuperMiniMold (M03)
Auf Lager4.212
NE687M03-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 3V 14GHZ 3SMINMOLD

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3V
  • Frequenz - Übergang: 14GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 2GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 90mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 20mA, 2V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-623F
  • Lieferantengerätepaket: 3-SuperMiniMold (M03)
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