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NE68530-T1

NE68530-T1

Nur als Referenz

Teilenummer NE68530-T1
PNEDA Teilenummer NE68530-T1
Beschreibung RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT323
Hersteller CEL
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Auf Lager 3.150
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NE68530-T1 Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE68530-T1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE68530-T1, NE68530-T1 Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 720,24 KB)
PDFNE68530-A Datenblatt Cover
NE68530-A Datenblatt Seite 2 NE68530-A Datenblatt Seite 3 NE68530-A Datenblatt Seite 4 NE68530-A Datenblatt Seite 5 NE68530-A Datenblatt Seite 6 NE68530-A Datenblatt Seite 7 NE68530-A Datenblatt Seite 8 NE68530-A Datenblatt Seite 9 NE68530-A Datenblatt Seite 10 NE68530-A Datenblatt Seite 11

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NE68530-T1 Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)6V
Frequenz - Übergang12GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Gewinn7dB
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce75 @ 10mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323

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NE68830-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

PH1090-550S

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

80V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.06dB

Leistung - max

550W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

46010

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

SD1536-08

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.4dB

Leistung - max

292W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M105

Lieferantengerätepaket

M105

UPA811T-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

Gewinn

7.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

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