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PH1090-550S

PH1090-550S

Nur als Referenz

Teilenummer PH1090-550S
PNEDA Teilenummer PH1090-550S
Beschreibung RF TRANS NPN 80V
Hersteller M/A-Com Technology Solutions
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Auf Lager 5.688
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PH1090-550S Ressourcen

Marke M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPH1090-550S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
PH1090-550S, PH1090-550S Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 145,57 KB)
PDFPH1090-550S Datenblatt Cover
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PH1090-550S Technische Daten

HerstellerM/A-Com Technology Solutions
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)80V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn8.06dB
Leistung - max550W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)28A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

90mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

3-SuperMiniMold (M33)

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

MS2562

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MSC2295-CT1

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

150MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SC-59

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Gewinn

10dB

Leistung - max

1.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

Kürzlich verkauft

MIC47100YMME

MIC47100YMME

Microchip Technology

IC REG LINEAR POS ADJ 1A 8MSOP

MAX912ESE

MAX912ESE

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IC COMPARATOR TTL HS LP 16-SOIC

RL7520WT-R005-F

RL7520WT-R005-F

Susumu

RES 0.005 OHM 2W 3008 WIDE

BAT54AWT1G

BAT54AWT1G

ON Semiconductor

DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323

ADP5054ACPZ-R7

ADP5054ACPZ-R7

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CY2305CSXI-1H

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XC7VX330T-2FFG1761I

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BCR30AM-12LB#B00

BCR30AM-12LB#B00

Renesas Electronics America

TRIAC 600V 30A TO3P

C5750X7S2A106K230KE

C5750X7S2A106K230KE

TDK

CAP CER 10UF 100V X7S 2220

BC857B

BC857B

STMicroelectronics

TRANS PNP 45V 0.1A SOT23

LG Q971-KN-1

LG Q971-KN-1

OSRAM Opto Semiconductors Inc.

LED GREEN DIFFUSED SMD