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BFP740ESDH6327XTSA1

BFP740ESDH6327XTSA1

Nur als Referenz

Teilenummer BFP740ESDH6327XTSA1
PNEDA Teilenummer BFP740ESDH6327XTSA1
Beschreibung RF TRANS NPN 4.7V 45GHZ SOT343
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 4.986
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFP740ESDH6327XTSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFP740ESDH6327XTSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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BFP740ESDH6327XTSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)4.7V
Frequenz - Übergang45GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.55dB ~ 1.8dB @ 150MHz ~ 10GHz
Gewinn8.5dB ~30.5dB
Leistung - max160mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce160 @ 25mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)45mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-82A, SOT-343
LieferantengerätepaketSOT-343

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB ~ 10.5dB

Leistung - max

125W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55FW-1

Lieferantengerätepaket

55FW-1

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

225MHz ~ 400MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

13dB

Leistung - max

11W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 100A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

700mA

Betriebstemperatur

150°C

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

55FT

Lieferantengerätepaket

55FT

JANTXV2N2857UB

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Gewinn

21dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, No Lead

Lieferantengerätepaket

UB

2SC5085-O(TE85L,F)

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Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 500MHz

Gewinn

-

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

USM

2SC5606-A

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.3V

Frequenz - Übergang

21GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

Gewinn

12.5dB

Leistung - max

115mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

-

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