NE685M13-A
Nur als Referenz
| Teilenummer | NE685M13-A |
| PNEDA Teilenummer | NE685M13-A |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 6V 12GHZ M13 |
| Hersteller | CEL |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.460 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NE685M13-A Ressourcen
| Marke | CEL |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NE685M13-A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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NE685M13-A Technische Daten
| Hersteller | CEL |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 6V |
| Frequenz - Übergang | 12GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 140mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 75 @ 10mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-3 |
| Lieferantengerätepaket | M13 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 110mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD (200 mil BeO) Lieferantengerätepaket - |
