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2SC4226-T1-A

2SC4226-T1-A

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC4226-T1-A
PNEDA Teilenummer 2SC4226-T1-A
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323
Hersteller CEL
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Auf Lager 8.406
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2SC4226-T1-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC4226-T1-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2SC4226-T1-A, 2SC4226-T1-A Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 1.962,59 KB)
PDF2SC4226-A Datenblatt Cover
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2SC4226-T1-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang4.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Gewinn9dB
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 7mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323

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Serie

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Transistortyp

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 3.5dB @ 500MHz

Gewinn

13dB ~ 15.5dB

Leistung - max

1.25W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Micro-X ceramic (84C)

Lieferantengerätepaket

Micro-X ceramic (84C)

1000MA

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.25dB @ 1kHz

Gewinn

-

Leistung - max

750mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-SOIC

HFA3046BZ96

Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

14-SOIC

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