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2N4957UB

2N4957UB

Nur als Referenz

Teilenummer 2N4957UB
PNEDA Teilenummer 2N4957UB
Beschreibung RF TRANS PNP 30V 30MA UB
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.326
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2N4957UB Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2N4957UB
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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2N4957UB Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypPNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)30V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)3.5dB @ 450MHz
Gewinn25dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce30 @ 5mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur-65°C ~ 200°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall3-SMD, No Lead
LieferantengerätepaketUB

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

1.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

11.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

8.5dB

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

SOT-523

SD1019

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

136MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

4.5dB

Leistung - max

117W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Betriebstemperatur

200°C

Montagetyp

Stud Mount

Paket / Fall

M130

Lieferantengerätepaket

M130

KSC1730YTA

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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TO-92-3

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