2SC3356-T1B-R25-A
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SC3356-T1B-R25-A |
| PNEDA Teilenummer | 2SC3356-T1B-R25-A |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23-3 |
| Hersteller | CEL |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.560 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 27 - Jan 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2SC3356-T1B-R25-A Ressourcen
| Marke | CEL |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SC3356-T1B-R25-A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
2SC3356-T1B-R25-A, 2SC3356-T1B-R25-A Datenblatt
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2SC3356-T1B-R25-A Technische Daten
| Hersteller | CEL |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 7GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Gewinn | 11.5dB |
| Leistung - max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn 7dB Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 75V Frequenz - Übergang 1.2GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.7dB ~ 9dB Leistung - max 600W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55ST Lieferantengerätepaket 55ST |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3.3V Frequenz - Übergang 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 2GHz Gewinn 18dB Leistung - max 115mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket SOT-343F |
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