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Transistoren

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Beschreibung
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NE85633L-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager6.030
NE85633-R23-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 11.5dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager5.994
NE85633-R24-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 11.5dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager2.718
NE85633-R25-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 11.5dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 125 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager6.516
NE85633-T1B

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager4.482
NE85633-T1B-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 11.5dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager5.418
NE85633-T1B-R23-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 11.5dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager5.922
NE85633-T1B-R24-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 11.5dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager5.814
NE85633-T1B-R25-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 7GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 11.5dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 125 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager7.722
NE85634-A
NE85634-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 6.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 2W
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89
Auf Lager4.482
NE85634-T1

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 6.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 2W
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89
Auf Lager4.950
NE85634-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 6.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 2W
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89
Auf Lager7.308
NE85634-T1-RE-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 6.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 1.2W
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 125 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89
Auf Lager8.172
NE85634-T1-RF-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 6.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 9dB
  • Leistung - max: 1.2W
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 125 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89
Auf Lager2.100
NE85639-A
NE85639-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 13dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143
Auf Lager6.084
NE85639R-T1

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 13.5dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-143R
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143R
Auf Lager8.424
NE85639R-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143R

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 13.5dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-143R
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143R
Auf Lager7.902
NE85639-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 13dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143
Auf Lager6.660
NE85639-T1-R27-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 13dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143
Auf Lager6.102
NE85639-T1-R28-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 9GHZ SOT143

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 9GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 13dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-253-4, TO-253AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-143
Auf Lager4.590
NE856M02-AZ

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 6.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 12dB
  • Leistung - max: 1.2W
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89
Auf Lager4.644
NE856M02-T1-AZ

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 6.5GHZ SOT89

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 6.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
  • Gewinn: 12dB
  • Leistung - max: 1.2W
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89
Auf Lager3.330
NE856M03-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ 3MINMOLD

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 4.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 125mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 7mA, 3V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SOT-623F
  • Lieferantengerätepaket: 3-SuperMiniMold (M03)
Auf Lager6.030
NE94430-T1-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 2GHZ SOT323

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 2GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 5mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager3.348
NE94433-T1B

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 2GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 2GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager3.544
NE94433-T1B-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS NPN 15V 2GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V
  • Frequenz - Übergang: 2GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): -
  • Gewinn: -
  • Leistung - max: 150mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 125°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager7.398
NE97733-A
NE97733-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 8.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz
  • Gewinn: 12dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager7.146
NE97733-T1B-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 8.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 1GHz
  • Gewinn: 12dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 8V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager3.798
NE97833-A
NE97833-A

CEL

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 5.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 10dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
Auf Lager5.706
NE97833-T1B-A

Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

RF TRANS PNP 12V 5.5GHZ SOT23

  • Hersteller: CEL
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Frequenz - Übergang: 5.5GHz
  • Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB @ 1GHz
  • Gewinn: 10dB
  • Leistung - max: 200mW
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 15mA, 10V
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA
  • Betriebstemperatur: 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Lieferantengerätepaket: SOT-23
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