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NE97733-T1B-A

NE97733-T1B-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE97733-T1B-A
PNEDA Teilenummer NE97733-T1B-A
Beschreibung RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23
Hersteller CEL
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Auf Lager 3.798
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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NE97733-T1B-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE97733-T1B-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE97733-T1B-A, NE97733-T1B-A Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 2.433,78 KB)
PDF2SA1977-A Datenblatt Cover
2SA1977-A Datenblatt Seite 2 2SA1977-A Datenblatt Seite 3 2SA1977-A Datenblatt Seite 4 2SA1977-A Datenblatt Seite 5 2SA1977-A Datenblatt Seite 6 2SA1977-A Datenblatt Seite 7 2SA1977-A Datenblatt Seite 8 2SA1977-A Datenblatt Seite 9 2SA1977-A Datenblatt Seite 10 2SA1977-A Datenblatt Seite 11

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NE97733-T1B-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypPNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang8.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB @ 1GHz
Gewinn12dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 20mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23

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NPN

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Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

97 @ 1mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

PN3563_D74Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

14dB ~ 26dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 8mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

70V

Frequenz - Übergang

1.03GHz ~ 1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

500W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55AW

Lieferantengerätepaket

55AW

SD1244-09H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

11.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

700mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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