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BFR93A,215

BFR93A,215

Nur als Referenz

Teilenummer BFR93A,215
PNEDA Teilenummer BFR93A-215
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 6GHZ TO236AB
Hersteller NXP
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Auf Lager 4.428
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 11 - Jan 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFR93A Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFR93A,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFR93A, BFR93A Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 269,9 KB)
PDFBFR93A Datenblatt Cover
BFR93A Datenblatt Seite 2 BFR93A Datenblatt Seite 3 BFR93A Datenblatt Seite 4 BFR93A Datenblatt Seite 5 BFR93A Datenblatt Seite 6 BFR93A Datenblatt Seite 7 BFR93A Datenblatt Seite 8 BFR93A Datenblatt Seite 9 BFR93A Datenblatt Seite 10 BFR93A Datenblatt Seite 11

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BFR93A Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang6GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.9dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz
Gewinn-
Leistung - max300mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 30mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB (SOT23)

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

Gewinn

13.5dB ~ 15dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70-3

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB @ 1.8GHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.8V

Frequenz - Übergang

65GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Gewinn

21.5dB

Leistung - max

185mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 50mA, 1.5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

70V

Frequenz - Übergang

1GHz ~ 1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

14dB

Leistung - max

3.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 50mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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