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NE97733-A

NE97733-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE97733-A
PNEDA Teilenummer NE97733-A
Beschreibung RF TRANS PNP 12V 8.5GHZ SOT23
Hersteller CEL
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Auf Lager 7.146
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NE97733-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE97733-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE97733-A, NE97733-A Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 2.433,78 KB)
PDF2SA1977-A Datenblatt Cover
2SA1977-A Datenblatt Seite 2 2SA1977-A Datenblatt Seite 3 2SA1977-A Datenblatt Seite 4 2SA1977-A Datenblatt Seite 5 2SA1977-A Datenblatt Seite 6 2SA1977-A Datenblatt Seite 7 2SA1977-A Datenblatt Seite 8 2SA1977-A Datenblatt Seite 9 2SA1977-A Datenblatt Seite 10 2SA1977-A Datenblatt Seite 11

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NE97733-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypPNP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang8.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB @ 1GHz
Gewinn12dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce20 @ 20mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketSOT-23

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB ~ 5dB @ 100MHz

Gewinn

-

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2SC5415AE-TD-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

800mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

PCP

BF240_J35Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

2SC5551AF-TD-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

3.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

1.3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

135 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

PCP

BFP843H6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2.25V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.85dB @ 450MHz ~ 10GHz

Gewinn

13.5dB ~ 24.5dB

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 15mA, 1.8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

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