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BFR 705L3RH E6327

BFR 705L3RH E6327

Nur als Referenz

Teilenummer BFR 705L3RH E6327
PNEDA Teilenummer BFR-705L3RH-E6327
Beschreibung RF TRANS NPN 4.7V 39GHZ TSLP-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 8.442
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BFR 705L3RH E6327 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFR 705L3RH E6327
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFR 705L3RH E6327, BFR 705L3RH E6327 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 64,77 KB)
PDFBFR 705L3RH E6327 Datenblatt Cover
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BFR 705L3RH E6327 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)4.7V
Frequenz - Übergang39GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.5dB ~ 0.8dB @ 1.8GHz ~ 6Ghz
Gewinn25dB
Leistung - max40mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce160 @ 7mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-101, SOT-883
LieferantengerätepaketPG-TSLP-3

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Serie

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NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

11dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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SSM

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.3dB @ 1GHz

Gewinn

8.3dB

Leistung - max

1.8W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

13.5dB

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

SOT-343F

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz

Gewinn

7dB ~ 10dB

Leistung - max

130mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

140 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.15dB @ 1.8GHz

Gewinn

17.5dB

Leistung - max

60mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Lieferantengerätepaket

PG-TSLP-3-1

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