2SC5415AE-TD-E
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| Teilenummer | 2SC5415AE-TD-E |
| PNEDA Teilenummer | 2SC5415AE-TD-E |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 6.7GHZ PCP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.694 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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2SC5415AE-TD-E Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SC5415AE-TD-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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2SC5415AE-TD-E Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 6.7GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Gewinn | 9dB |
| Leistung - max | 800mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 90 @ 30mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-243AA |
| Lieferantengerätepaket | PCP |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.03GHz ~ 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 9dB Leistung - max 175W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 5.4A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M214 Lieferantengerätepaket M214 |
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