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MPSH17_D27Z

MPSH17_D27Z

Nur als Referenz

Teilenummer MPSH17_D27Z
PNEDA Teilenummer MPSH17_D27Z
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 5.022
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MPSH17_D27Z Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMPSH17_D27Z
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MPSH17_D27Z Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang800MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)6dB @ 200MHz
Gewinn24dB
Leistung - max350mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce25 @ 5mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Betriebstemperatur-
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
LieferantengerätepaketTO-92-3

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

330mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

2SC5226A-4-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

3-MCP

2SA1977-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

-

BFP420H6433XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

21dB

Leistung - max

160mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 4V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

PH3135-65M

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.23dB ~ 9.09dB

Leistung - max

65W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7.7A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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