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NE856M03-A

NE856M03-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE856M03-A
PNEDA Teilenummer NE856M03-A
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ 3MINMOLD
Hersteller CEL
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Auf Lager 6.030
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NE856M03-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE856M03-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE856M03-A, NE856M03-A Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 144,87 KB)
PDFNE856M03-A Datenblatt Cover
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NE856M03-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang4.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.4dB ~ 2.5dB @ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max125mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 7mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-623F
Lieferantengerätepaket3-SuperMiniMold (M03)

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB

Leistung - max

880W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Betriebstemperatur

250°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M216

Lieferantengerätepaket

M216

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

0105-50

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

100MHz ~ 500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB ~ 10dB

Leistung - max

140W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55JT

Lieferantengerätepaket

55JT

MCH4014-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

18dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

4-MCPH

NSVF3007SG3T1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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