2N3663
Nur als Referenz
Teilenummer | 2N3663 |
PNEDA Teilenummer | 2N3663 |
Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3 |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 5.346 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
2N3663 Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | 2N3663 |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- 2N3663 Datasheet
- where to find 2N3663
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor 2N3663
- 2N3663 PDF Datasheet
- 2N3663 Stock
- 2N3663 Pinout
- Datasheet 2N3663
- 2N3663 Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- 2N3663 Price
- 2N3663 Distributor
2N3663 Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | - |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 2.1GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 6.5dB @ 60MHz |
Gewinn | 1.5dB |
Leistung - max | 350mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 8mA, 10V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Through Hole |
Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
CEL Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 12GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB @ 2GHz Gewinn 10dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 30mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143 |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 7dB ~ 9dB Leistung - max 7W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 300mA Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55FW-1 Lieferantengerätepaket 55FW-1 |
Rohm Semiconductor Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 300MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 82 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket EMT3 |
CEL Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1GHz Gewinn 13dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 20mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143 |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |