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2SC4618TLP

2SC4618TLP

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC4618TLP
PNEDA Teilenummer 2SC4618TLP
Beschreibung RF TRANS NPN 25V 300MHZ EMT3
Hersteller Rohm Semiconductor
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Auf Lager 3.618
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 24 - Nov 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2SC4618TLP Ressourcen

Marke Rohm Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC4618TLP
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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2SC4618TLP Technische Daten

HerstellerRohm Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)25V
Frequenz - Übergang300MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce82 @ 1mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-75, SOT-416
LieferantengerätepaketEMT3

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

7W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Hersteller

MICROSS/On Semiconductor

Serie

*

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6dB ~ 6.5dB

Leistung - max

1700W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55KT

Lieferantengerätepaket

55KT

MS2092H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

19.5dB

Leistung - max

175mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

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