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S200-50 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 110V 30MHZ 55HX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 110V Frequenz - Übergang: 1.5MHz ~ 30MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 12dB ~ 14.5dB Leistung - max: 320W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55HX Lieferantengerätepaket: 55HX	Auf Lager7.164
S200-50A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.022
SD1013 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 35V 150MHZ M135 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 35V Frequenz - Übergang: 150MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 13W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M135 Lieferantengerätepaket: M135	Auf Lager3.562
SD1013-03 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 35V 150MHZ M113 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 35V Frequenz - Übergang: 150MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 13W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M113 Lieferantengerätepaket: M113	Auf Lager7.848
SD1013-20H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.786
SD1015 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 150MHZ M135 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 18V Frequenz - Übergang: 150MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 10W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 200mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Betriebstemperatur: 200°C Montagetyp: Stud Mount Paket / Fall: M135 Lieferantengerätepaket: M135	Auf Lager8.154
SD1019 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 35V 136MHZ M130 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 35V Frequenz - Übergang: 136MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 4.5dB Leistung - max: 117W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9A Betriebstemperatur: 200°C Montagetyp: Stud Mount Paket / Fall: M130 Lieferantengerätepaket: M130	Auf Lager6.048
SD1019-02 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.094
SD1057-01H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.118
SD1127 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 18V Frequenz - Übergang: 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 12dB Leistung - max: 8W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 640mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager3.096
SD1143-01 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ M113 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 18V Frequenz - Übergang: 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 20W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Betriebstemperatur: 200°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M113 Lieferantengerätepaket: M113	Auf Lager8.712
SD1224 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 35V Frequenz - Übergang: 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.6dB Leistung - max: 60W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M135 Lieferantengerätepaket: M135	Auf Lager8.388
SD1224-02 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 35V 175MHZ M113 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 35V Frequenz - Übergang: 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.6dB Leistung - max: 60W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M113 Lieferantengerätepaket: M113	Auf Lager8.838
SD1244-09H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.136
SD1244-12H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.178
SD1274 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V M135 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 70W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: M135 Lieferantengerätepaket: M135	Auf Lager5.184
SD1274-01 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V M113 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 70W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: M113 Lieferantengerätepaket: M113	Auf Lager8.982
SD1275 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V M135 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB Leistung - max: 70W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis, Stud Mount Paket / Fall: M135 Lieferantengerätepaket: M135	Auf Lager5.166
SD1275-01 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V M113 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB Leistung - max: 70W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: M113 Lieferantengerätepaket: M113	Auf Lager6.624
SD1309-01H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.938
SD1330-05H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.094
SD1330-06H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.544
SD1332-05C Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.5dB @ 1GHz Gewinn: 17dB Leistung - max: 180W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 14mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Betriebstemperatur: 200°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: M150 Lieferantengerätepaket: M150	Auf Lager2.448
SD1332-05H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.5dB @ 1GHz Gewinn: 17dB Leistung - max: 180W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 14mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Betriebstemperatur: 200°C Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: M150 Lieferantengerätepaket: M150	Auf Lager3.168
SD1372-01H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.832
SD1372-03H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.806
SD1372-06H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.426
SD1400-03 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.894
SD1405 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V M174 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 18V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 13dB Leistung - max: 270W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: M174 Lieferantengerätepaket: M174	Auf Lager7.614
SD1419-06H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.874

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