Transistoren

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Seite 149/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
SD1433 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V M122 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB Leistung - max: 58W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis, Stud Mount Paket / Fall: M122 Lieferantengerätepaket: M122	Auf Lager8.550
SD1444 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 512MHZ TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 450MHz ~ 512MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB Leistung - max: 5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager2.862
SD1446 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V M113 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 18V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 183W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: M113 Lieferantengerätepaket: M113	Auf Lager7.056
SD1477 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V M111 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 18V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6dB Leistung - max: 270W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: M111 Lieferantengerätepaket: M111	Auf Lager8.496
SD1488 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V M111 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 5.8dB Leistung - max: 117W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: M111 Lieferantengerätepaket: M111	Auf Lager7.002
SD1526-01 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 45V 1.215GHZ M115 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9.5dB Leistung - max: 21.9W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M115 Lieferantengerätepaket: M115	Auf Lager7.308
SD1536-01 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.714
SD1536-03 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.4dB Leistung - max: 292W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M115 Lieferantengerätepaket: M115	Auf Lager4.770
SD1536-08 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M105 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.4dB Leistung - max: 292W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M105 Lieferantengerätepaket: M105	Auf Lager3.996
SD1726 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V M174 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 14dB Leistung - max: 318W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 18 @ 1.4A, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: M174 Lieferantengerätepaket: M174	Auf Lager7.146
SD1727 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V M164 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 14dB Leistung - max: 233W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 18 @ 1.4A, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis, Stud Mount Paket / Fall: M164 Lieferantengerätepaket: M164	Auf Lager8.154
SD1728 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V M177 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 15dB ~ 17dB Leistung - max: 330W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 23 @ 10A, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: M177 Lieferantengerätepaket: M177	Auf Lager3.456
SD1731 STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V M174 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 13dB Leistung - max: 233W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: M174 Lieferantengerätepaket: M174	Auf Lager2.178
SD1853-02H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.928
SD8002-01H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.502
SD8253-02H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.556
SD8268-21H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.388
SMMBTH10-4LT3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager2.106
SRF4427 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 1.3GHZ 8SO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 18V Frequenz - Übergang: 1.3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 17dB ~ 18dB Leistung - max: 1.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 150mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.528
SS9018FBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 54 @ 1mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.600
SS9018GBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 72 @ 1mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager55.386
SS9018HBU ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.1GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 97 @ 1mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager22.800
START405TR STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V SOT343 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn: 19dB Leistung - max: 45mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.538
START499D STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V SOT89 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 13dB ~ 14dB Leistung - max: 1.7W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 150 @ 160mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager5.904
START499ETR STMicroelectronics	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.5V 1.9GHZ SOT343 Hersteller: STMicroelectronics Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.5V Frequenz - Übergang: 1.9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 1.8GHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 600mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 160mA, 4V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager3.580
TAN15 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 1.215GHZ 55LT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB ~ 8dB Leistung - max: 175W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55LT Lieferantengerätepaket: 55LT	Auf Lager4.698
TAN150 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ 55AT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB Leistung - max: 583W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55AT Lieferantengerätepaket: 55AT	Auf Lager7.272
TAN250A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ 55AW Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6.2db ~ 7dB Leistung - max: 575W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55AW Lieferantengerätepaket: 55AW	Auf Lager3.526
TAN300 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55KT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6.6dB Leistung - max: 1166W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55KT Lieferantengerätepaket: 55KT	Auf Lager8.532
TAN350 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55ST Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB ~ 7.5dB Leistung - max: 1450W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Betriebstemperatur: 230°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55ST Lieferantengerätepaket: 55ST	Auf Lager6.066

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