Transistoren

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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
TAN500 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 75V 1.215GHZ 55ST Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 75V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB Leistung - max: 2500W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55ST Lieferantengerätepaket: 55ST	Auf Lager4.680
TAN75A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 1.215GHZ 55AZ Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB ~ 8.5dB Leistung - max: 290W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 15mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55AZ Lieferantengerätepaket: 55AZ	Auf Lager7.542
TCS1200 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.03GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10.2dBd Leistung - max: 2095W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55TU-1 Lieferantengerätepaket: 55TU-1	Auf Lager4.374
TCS800 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55SM Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.03GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB ~ 9dB Leistung - max: 1944W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50A Betriebstemperatur: 230°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55SM Lieferantengerätepaket: 55SM	Auf Lager5.490
TPR1000 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KV Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6dB Leistung - max: 2900W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55KV Lieferantengerätepaket: 55KV	Auf Lager4.284
TPR1000A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 65V 1.09GHZ 55KV Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6dB Leistung - max: 2900W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80A Betriebstemperatur: 200°C Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55KV Lieferantengerätepaket: 55KV	Auf Lager5.274
TPR175 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB ~ 9dB Leistung - max: 290W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 20mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55CX Lieferantengerätepaket: 55CX	Auf Lager5.292
TPR400 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55CX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.27dB Leistung - max: 875W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 2.5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55CX Lieferantengerätepaket: 55CX	Auf Lager8.532
TPR700 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55KT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6.7dB Leistung - max: 2050W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 55A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55KT Lieferantengerätepaket: 55KT	Auf Lager2.862
UMIL10 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 400MHZ 55FT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: 100MHz ~ 400MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 28W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis, Stud Mount Paket / Fall: 55FT Lieferantengerätepaket: 55FT	Auf Lager8.226
UMIL100A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 31V 400MHZ 55JU Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 31V Frequenz - Übergang: 225MHz ~ 400MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.2dB ~ 8.5dB Leistung - max: 270W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55JU Lieferantengerätepaket: 55JU	Auf Lager6.678
UMIL25 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 33V 400MHZ 55HV Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 33V Frequenz - Übergang: 225MHz ~ 400MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.9db ~ 10dB Leistung - max: 70W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55HV Lieferantengerätepaket: 55HV	Auf Lager7.344
UMIL3 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 400MHZ 55FT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: 225MHz ~ 400MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 11.8db ~ 13dB Leistung - max: 11W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 100A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Chassis, Stud Mount Paket / Fall: 55FT Lieferantengerätepaket: 55FT	Auf Lager4.590
UMIL3B Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 30V 400MHZ 55FT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: 225MHz ~ 400MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 13dB Leistung - max: 11W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 100A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA Betriebstemperatur: 150°C Montagetyp: Stud Mount Paket / Fall: 55FT Lieferantengerätepaket: 55FT	Auf Lager4.608
UMIL80 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 31V 500MHZ 55HV Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 31V Frequenz - Übergang: 200MHz ~ 500MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB ~ 9.5dB Leistung - max: 220W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55HV Lieferantengerätepaket: 55HV	Auf Lager2.808
UPA800T-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz Gewinn: 7.5dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager6.444
UPA800T-T1 CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ 6SO Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 3.2dB @ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-SO	Auf Lager2.502
UPA800T-T1-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz Gewinn: 7.5dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager4.968
UPA801T-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 4.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager4.302
UPA801T-T1-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 4.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: 9dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager6.102
UPA802T-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager3.562
UPA802T-T1-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager5.814
UPA806T-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V Frequenz - Übergang: 12GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz Gewinn: 8.5dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager6.948
UPA806T-T1 CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ 6SO Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V Frequenz - Übergang: 12GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-SO	Auf Lager4.842
UPA806T-T1-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V Frequenz - Übergang: 12GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz Gewinn: 8.5dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 75 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager7.560
UPA810T-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 4.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: 9dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager2.808
UPA810T-T1 CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ 6SO Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 4.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB ~ 2.5dB @ 1GHz Gewinn: 7dB ~ 9dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-SO	Auf Lager6.966
UPA810T-T1-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 4.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: 9dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager4.752
UPA811T-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz Gewinn: 7.5dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager3.384
UPA811T-T1-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 2GHz Gewinn: 7.5dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager3.420

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