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UPA806T-A

UPA806T-A

Nur als Referenz

Teilenummer UPA806T-A
PNEDA Teilenummer UPA806T-A
Beschreibung RF TRANS 2 NPN 6V 12GHZ SOT363
Hersteller CEL
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Auf Lager 6.948
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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UPA806T-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUPA806T-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
UPA806T-A, UPA806T-A Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 735,98 KB)
PDFUPA806T-A Datenblatt Cover
UPA806T-A Datenblatt Seite 2 UPA806T-A Datenblatt Seite 3 UPA806T-A Datenblatt Seite 4 UPA806T-A Datenblatt Seite 5 UPA806T-A Datenblatt Seite 6

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UPA806T-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)6V
Frequenz - Übergang12GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB @ 2GHz
Gewinn8.5dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce75 @ 10mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

13V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

-

Leistung - max

120mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

PG-SOT343-4

EC4H08C-TL-H

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

24GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

17dB

Leistung - max

50mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-UFDFN

Lieferantengerätepaket

4-ECSP1008

TAN500

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

2500W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55ST

Lieferantengerätepaket

55ST

SD1536-03

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.4dB

Leistung - max

292W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M115

Lieferantengerätepaket

M115

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

33V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

13dB

Leistung - max

10W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.1A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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