UPA800T-T1-A
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| Teilenummer | UPA800T-T1-A |
| PNEDA Teilenummer | UPA800T-T1-A |
| Beschreibung | RF TRANS 2 NPN 10V 8GHZ SOT363 |
| Hersteller | CEL |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.968 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 27 - Jan 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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UPA800T-T1-A Ressourcen
| Marke | CEL |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | UPA800T-T1-A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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UPA800T-T1-A Technische Daten
| Hersteller | CEL |
| Serie | - |
| Transistortyp | 2 NPN (Dual) |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 10V |
| Frequenz - Übergang | 8GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.9dB @ 2GHz |
| Gewinn | 7.5dB |
| Leistung - max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 3V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 35mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-363 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 18V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz Gewinn 13dB ~ 15.5dB Leistung - max 1.25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall Micro-X ceramic (84C) Lieferantengerätepaket Micro-X ceramic (84C) |
