ULN2003ADR2G
Nur als Referenz
| Teilenummer | ULN2003ADR2G |
| PNEDA Teilenummer | ULN2003ADR2G |
| Beschreibung | IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SO |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 138.798 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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ULN2003ADR2G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | ULN2003ADR2G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
| Datenblatt |
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ULN2003ADR2G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | 7 NPN Darlington |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50µA |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 1000 @ 350mA, 2V |
| Leistung - max | - |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | -20°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 16-SOIC |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V Leistung - max 150mW Frequenz - Übergang 300MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363 |
