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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
UPA812T-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager3.006
UPA812T-T1-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 10V 7GHZ SOT363 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 7mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 65mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: SOT-363	Auf Lager6.516
UPA814T-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-SO	Auf Lager6.354
UPA814T-T1 CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-SO	Auf Lager5.976
UPA814T-T1-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2 NPN 6V 9GHZ 6SO Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket: 6-SO	Auf Lager3.526
UPA895TS-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.5V Frequenz - Übergang: 6.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 130mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-Super Lead-Less MiniMold	Auf Lager7.200
UPA895TS-T3-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2NPN 5.5V 6.5GHZ 6SMINI Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.5V Frequenz - Übergang: 6.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 130mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 6-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 6-Super Lead-Less MiniMold	Auf Lager2.898
UTV005 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 24V 860MHZ 55FT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 24V Frequenz - Übergang: 470MHz ~ 860MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 11dB Leistung - max: 8W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 750mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis, Stud Mount Paket / Fall: 55FT Lieferantengerätepaket: 55FT	Auf Lager3.472
UTV010 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 24V 860MHZ 55FT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 24V Frequenz - Übergang: 470MHz ~ 860MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 11.5dB Leistung - max: 15W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 200mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.25A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis, Stud Mount Paket / Fall: 55FT Lieferantengerätepaket: 55FT	Auf Lager7.650
UTV020 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 470MHz ~ 860MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 12dB Leistung - max: 17W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis, Stud Mount Paket / Fall: 55FT Lieferantengerätepaket: 55FT	Auf Lager6.372
UTV040 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 860MHZ 55FT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 470MHz ~ 860MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB Leistung - max: 25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis, Stud Mount Paket / Fall: 55FT Lieferantengerätepaket: 55FT	Auf Lager4.752
UTV080 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 28V Frequenz - Übergang: 470MHz ~ 860MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB ~ 10dB Leistung - max: 65W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Channel, DIN Rail Mount Paket / Fall: 55JV Lieferantengerätepaket: 55JV	Auf Lager4.788
UTV200 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 28V Frequenz - Übergang: 470MHz ~ 860MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.5dB ~ 9.5dB Leistung - max: 80W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55JV Lieferantengerätepaket: 55JV	Auf Lager8.748
UTV8100B Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 60V 860MHZ 55RT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Frequenz - Übergang: 470MHz ~ 860MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.5dB ~ 9.5dB Leistung - max: 290W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55RT Lieferantengerätepaket: 55RT	Auf Lager4.608
ZTX325 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz Gewinn: 53dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: E-Line-3 Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible)	Auf Lager2.502
ZTX325STOA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz Gewinn: 53dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: E-Line-3, Formed Leads Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible)	Auf Lager5.022
ZTX325STOB Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz Gewinn: 53dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: E-Line-3, Formed Leads Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible)	Auf Lager4.374
ZTX325STZ Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ E-LINE Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 500MHz Gewinn: 53dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: E-Line-3, Formed Leads Lieferantengerätepaket: E-Line (TO-92 compatible)	Auf Lager5.472
ZUMT918TA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 330mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager6.282
ZUMTS17HTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz Gewinn: - Leistung - max: 330mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager7.344
ZUMTS17HTC Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.3GHZ SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 4.5dB @ 500MHz Gewinn: - Leistung - max: 330mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 25mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager8.586
ZUMTS17NTA Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ SOT323 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 11V Frequenz - Übergang: 3.2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 330mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager2.322
1085-MMBT100A ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN SOT-23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: * Transistortyp: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: - Strom - Kollektorabschaltung (max.): - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Leistung - max: - Frequenz - Übergang: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.878
12A02CH-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 12V 1A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 20mA, 400mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Leistung - max: 700mW Frequenz - Übergang: 450MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-96 Lieferantengerätepaket: 3-CPH	Auf Lager28.182
12A02MH-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS PNP 12V 1A MCPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 20mA, 400mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 450MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-MCPH	Auf Lager52.188
15C01C-TB-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 15V 0.7A CP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 330MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: 3-CP	Auf Lager3.598
15C01M-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 15V 0.7A MCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 700mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Leistung - max: 300mW Frequenz - Übergang: 330MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: 3-MCP	Auf Lager82.776
15C01SS-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 15V 0.6A SSFP Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 200mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 10mA, 2V Leistung - max: 200mW Frequenz - Übergang: 330MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-SSFP	Auf Lager4.410
15C02CH-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 15V 1A CPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 20mA, 400mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V Leistung - max: 700mW Frequenz - Übergang: 440MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-96 Lieferantengerätepaket: 3-CPH	Auf Lager58.410
15C02MH-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - Single TRANS NPN 15V 1A MCPH3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 280mV @ 20mA, 400mA Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 300 @ 50mA, 2V Leistung - max: 600mW Frequenz - Übergang: 440MHz Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-MCPH	Auf Lager2.916

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