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UTV200

UTV200

Nur als Referenz

Teilenummer UTV200
PNEDA Teilenummer UTV200
Beschreibung RF TRANS NPN 28V 860MHZ 55JV
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.748
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Apr 8 - Apr 13 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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UTV200 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUTV200
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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UTV200 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)28V
Frequenz - Übergang470MHz ~ 860MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn8.5dB ~ 9.5dB
Leistung - max80W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce10 @ 1A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)4.5A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall55JV
Lieferantengerätepaket55JV

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

13dB

Leistung - max

60W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

211-07

Lieferantengerätepaket

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

MSC2295-CT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

150MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 1mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SC-59

BFP 196R E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

7.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 2.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

10.5dB ~ 16.5dB

Leistung - max

700mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 50mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT143-4

MSC74070

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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