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BFR93AW,115

BFR93AW,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFR93AW,115
PNEDA Teilenummer BFR93AW-115
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 5GHZ SOT323-3
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.664
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFR93AW Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFR93AW,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFR93AW, BFR93AW Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 254,67 KB)
PDFBFR93AW Datenblatt Cover
BFR93AW Datenblatt Seite 2 BFR93AW Datenblatt Seite 3 BFR93AW Datenblatt Seite 4 BFR93AW Datenblatt Seite 5 BFR93AW Datenblatt Seite 6 BFR93AW Datenblatt Seite 7 BFR93AW Datenblatt Seite 8 BFR93AW Datenblatt Seite 9 BFR93AW Datenblatt Seite 10 BFR93AW Datenblatt Seite 11

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BFR93AW Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz
Gewinn-
Leistung - max300mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 30mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323-3

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.6dB @ 2GHz ~ 4GHz

Gewinn

6.5dB ~ 11dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

PN5179_D75Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

5dB @ 200MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB ~ 2dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

32mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 500µA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6.5mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

MRF8372GR2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

870MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB ~ 9.5dB

Leistung - max

2.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

BFG 235 E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 900MHz

Gewinn

12.5dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 200mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223-4

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