BFR93AW,115
Nur als Referenz
| Teilenummer | BFR93AW,115 |
| PNEDA Teilenummer | BFR93AW-115 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 5GHZ SOT323-3 |
| Hersteller | NXP |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.664 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 27 - Dez 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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BFR93AW Ressourcen
| Marke | NXP |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | BFR93AW,115 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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BFR93AW Technische Daten
| Hersteller | NXP USA Inc. |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | 300mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 40 @ 30mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 35mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-323-3 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 5dB @ 200MHz Gewinn 15dB Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz Gewinn - Leistung - max 32mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 500µA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6.5mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 6dB @ 60MHz Gewinn 15dB Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Serie - Transistortyp 5 NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.25dB @ 1kHz Gewinn - Leistung - max 750mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 1mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 14-SOIC |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 6.5dB Leistung - max 1458W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 5 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 22A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall M112 Lieferantengerätepaket M112 |
