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Transistoren

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Beschreibung
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2DD2652-7
2DD2652-7

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 12V 1.5A SOT-323

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 260MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager75.216
2DD2656-7
2DD2656-7

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 30V 1A SOT-323

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V
  • Leistung - max: 300mW
  • Frequenz - Übergang: 270MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: SC-70, SOT-323
  • Lieferantengerätepaket: SOT-323
Auf Lager8.946
2DD2661-13
2DD2661-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 12V 2A SOT89-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 50mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
  • Leistung - max: 900mW
  • Frequenz - Übergang: 170MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89-3
Auf Lager24.336
2DD2678-13
2DD2678-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 12V 3A SOT89-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 30mA, 1.5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V
  • Leistung - max: 900mW
  • Frequenz - Übergang: 170MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89-3
Auf Lager21.174
2DD2679-13
2DD2679-13

Diodes Incorporated

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 30V 2A SOT89-3

  • Hersteller: Diodes Incorporated
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 370mV @ 75mA, 1.5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: 240MHz
  • Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Montagetyp: Surface Mount
  • Paket / Fall: TO-243AA
  • Lieferantengerätepaket: SOT-89-3
Auf Lager3.508
2N1016B
2N1016B

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager3.294
2N1016C
2N1016C

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager4.086
2N1016D
2N1016D

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager7.776
2N1131
2N1131

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 150mA, 10V
  • Leistung - max: 2W
  • Frequenz - Übergang: 50MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager4.248
2N1131A
2N1131A

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: PNP
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 150mA, 10V
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: 90MHz
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager4.158
2N1131B
2N1131B

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager3.384
2N1310
2N1310

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 90V 0.2A TO5

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager5.310
2N1479
2N1479

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager7.776
2N1480
2N1480

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 55V 1.5A TO-39

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 20mA, 200mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 200mA, 4V
  • Leistung - max: 5W
  • Frequenz - Übergang: 1.5MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager8.172
2N1481
2N1481

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager6.372
2N1482
2N1482

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager5.220
2N1483
2N1483

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager148
2N1484
2N1484

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager6.228
2N1485
2N1485

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager31
2N1486
2N1486

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager8.856
2N1613
2N1613

STMicroelectronics

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 50V 0.5A TO-39

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 80MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager3.600
2N1613
2N1613

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 50V 0.5A TO-39

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V
  • Leistung - max: 3W
  • Frequenz - Übergang: 60MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager12.972
2N1613A
2N1613A

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager7.128
2N1613L
2N1613L

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager3.744
2N1700
2N1700

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager3.330
2N1701
2N1701

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager463
2N1702
2N1702

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager3.744
2N1711
2N1711

STMicroelectronics

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 50V 0.5A TO-39

  • Hersteller: STMicroelectronics
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 35 @ 100mA, 10V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 100MHz
  • Betriebstemperatur: 175°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager3.636
2N1711
2N1711

Central Semiconductor Corp

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

TRANS NPN 50V 0.5A TO-39

  • Hersteller: Central Semiconductor Corp
  • Serie: -
  • Transistortyp: NPN
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 15mA, 150mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
  • Leistung - max: 800mW
  • Frequenz - Übergang: 70MHz
  • Betriebstemperatur: -65°C ~ 200°C (TJ)
  • Montagetyp: Through Hole
  • Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
  • Lieferantengerätepaket: TO-39
Auf Lager12.552
2N1711S
2N1711S

Microsemi

Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

NPN TRANSISTOR

  • Hersteller: Microsemi Corporation
  • Serie: *
  • Transistortyp: -
  • Strom - Kollektor (Ic) (max.): -
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): -
  • Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic: -
  • Strom - Kollektorabschaltung (max.): -
  • Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: -
  • Leistung - max: -
  • Frequenz - Übergang: -
  • Betriebstemperatur: -
  • Montagetyp: -
  • Paket / Fall: -
  • Lieferantengerätepaket: -
Auf Lager4.896