2N1701
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2N1701 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | 2N1701 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | NPN TRANSISTOR | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 463 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 13 - Apr 18 (Wählen Sie Expressed Shipping) | ||||||||||||||||||
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2N1701 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2N1701 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Single |
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2N1701 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | * |
| Transistortyp | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | - |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
| Leistung - max | - |
| Frequenz - Übergang | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Nexperia USA Inc. Serie Automotive, AEC-Q101 Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 200mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 10mA, 1V Leistung - max 250mW Frequenz - Übergang 250MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp PNP Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 63 @ 150mA, 2V Leistung - max 830mW Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp NPN Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 400nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 1V Leistung - max 350mW Frequenz - Übergang 500MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
