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UPA810T-A

UPA810T-A

Nur als Referenz

Teilenummer UPA810T-A
PNEDA Teilenummer UPA810T-A
Beschreibung RF TRANS 2 NPN 12V 4.5GHZ SOT363
Hersteller CEL
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Auf Lager 2.808
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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UPA810T-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUPA810T-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
UPA810T-A, UPA810T-A Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 760,55 KB)
PDFUPA810T-A Datenblatt Cover
UPA810T-A Datenblatt Seite 2 UPA810T-A Datenblatt Seite 3 UPA810T-A Datenblatt Seite 4 UPA810T-A Datenblatt Seite 5 UPA810T-A Datenblatt Seite 6

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UPA810T-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang4.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Gewinn9dB
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce70 @ 7mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

Gewinn

11dB ~ 13dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

13.5dB

Leistung - max

30W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1.5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3.4A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

211-07

Lieferantengerätepaket

211-07, STYLE 1

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.5V

Frequenz - Übergang

26GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB @ 2GHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

120mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-UFDFN

Lieferantengerätepaket

4-ECSP1008

MS2321

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

87.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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