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PH1090-350L M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 80V Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.32dB Leistung - max: 350W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 17A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.982
PH1090-550S M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 80V Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.06dB Leistung - max: 550W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 28A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.688
PH1090-75L M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 70V Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 70V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10.70dB ~ 10.81dB Leistung - max: 75W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager885
PH2729-130M M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 63V Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 63V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9.73dB ~ 8.85dB Leistung - max: 130W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.030
PH2729-25M M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 60V Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9.2dB Leistung - max: 70W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.140
PH2731-75L M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.16dB ~ 8.86dB Leistung - max: 75W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 7A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.896
PH3134-11S M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 60V Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB Leistung - max: 11W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.3A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.806
PH3134-30S M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.5dB Leistung - max: 30W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3.6A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.718
PH3134-55L M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.5dB Leistung - max: 55W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.328
PH3134-75S M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.5dB Leistung - max: 75W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8.9A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.380
PH3134-9L M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 60V Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB Leistung - max: 9W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.1A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.834
PH3135-20M M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.5dB Leistung - max: 20W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2.4A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.868
PH3135-5S M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 60V Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.5dB Leistung - max: 5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 750mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.276
PH3135-65M M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.23dB ~ 9.09dB Leistung - max: 65W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 7.7A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.046
PN3563 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 14dB ~ 26dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.848
PN3563 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V TO92 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager66.492
PN3563_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 14dB ~ 26dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.950
PN3563_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 14dB ~ 26dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.034
PN3563_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.5GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 14dB ~ 26dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager6.894
PN5179 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.754
PN5179_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager4.536
PN5179_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.094
PN5179_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.418
PN918 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.112
PN918_D74Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.406
PRF947,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 8.5GHZ SOT323-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323-3	Auf Lager7.416
PRF949,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 9GHZ SC75 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket: SC-75	Auf Lager8.748
PRF957,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 8.5GHZ SOT323-3 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 270mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323-3	Auf Lager3.544
PZ1418B30U,114 Ampleon	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1.6GHZ CDFM2 Hersteller: Ampleon USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1.6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.4dB Leistung - max: 45W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SOT-443A Lieferantengerätepaket: CDFM2	Auf Lager6.696
RX1214B300Y,114 Ampleon	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 60V 1.4GHZ CDFM2 Hersteller: Ampleon USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Frequenz - Übergang: 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB Leistung - max: 570W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 21A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-439A Lieferantengerätepaket: CDFM2	Auf Lager6.336

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