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PRF949,115

PRF949,115

Nur als Referenz

Teilenummer PRF949,115
PNEDA Teilenummer PRF949-115
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 9GHZ SC75
Hersteller NXP
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Auf Lager 8.748
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PRF949 Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPRF949,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
PRF949, PRF949 Datenblatt (Total Pages: 16, Größe: 111,63 KB)
PDFPRF949 Datenblatt Cover
PRF949 Datenblatt Seite 2 PRF949 Datenblatt Seite 3 PRF949 Datenblatt Seite 4 PRF949 Datenblatt Seite 5 PRF949 Datenblatt Seite 6 PRF949 Datenblatt Seite 7 PRF949 Datenblatt Seite 8 PRF949 Datenblatt Seite 9 PRF949 Datenblatt Seite 10 PRF949 Datenblatt Seite 11

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PRF949 Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-75, SOT-416
LieferantengerätepaketSC-75

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

800MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

Gewinn

17.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-143R

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Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

13.5dB ~ 20.5dB

Leistung - max

580mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

450MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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